Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF9L120BLFRATCR
RF9L120BLFRATCR

RF9L120BLFRATCR ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN2020 N-CH 60V 12A
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF9L120BLFRATCR ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RF9L120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 23W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN2020Y, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.

Інші пропозиції RF9L120BLFRATCR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RF9L120BLFRATCR RF9L120BLFRATCR ROHM Description: ROHM - RF9L120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020Y
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BLFRATCR
RF9L120BLFRATCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF9L120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020Y
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.