Продукція > ROHM > RF9P120BKFRATCR
RF9P120BKFRATCR

RF9P120BKFRATCR ROHM


Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF9P120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.058 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF9P120BKFRATCR ROHM

Description: ROHM - RF9P120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.058 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: WFDFN2020, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції RF9P120BKFRATCR за ціною від 23.95 грн до 123.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RF9P120BKFRATCR RF9P120BKFRATCR ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 100V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.14 грн
10+68.99 грн
100+40.04 грн
500+32.79 грн
1000+29.68 грн
3000+25.20 грн
6000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9P120BKFRATCR RF9P120BKFRATCR ROHM Description: ROHM - RF9P120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.058 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.23 грн
11+77.80 грн
100+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9P120BKFRATCR
RF9P120BKFRATCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 100V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.14 грн
10+68.99 грн
100+40.04 грн
500+32.79 грн
1000+29.68 грн
3000+25.20 грн
6000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9P120BKFRATCR
RF9P120BKFRATCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF9P120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.058 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+123.23 грн
11+77.80 грн
100+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.