RF9P120BKFRATCR ROHM Semiconductor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 124.99 грн |
| 10+ | 77.58 грн |
| 100+ | 45.03 грн |
| 500+ | 36.88 грн |
| 1000+ | 33.38 грн |
| 3000+ | 28.34 грн |
| 6000+ | 26.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF9P120BKFRATCR ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RF9P120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.058 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: WFDFN2020, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції RF9P120BKFRATCR за ціною від 56.17 грн до 133.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RF9P120BKFRATCR | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - RF9P120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.058 ohm, WFDFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 23W Bauform - Transistor: WFDFN2020 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|