RF9P120BKFRATCR ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF9P120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.058 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: ROHM - RF9P120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.058 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 93.96 грн |
| 13+ | 69.84 грн |
| 100+ | 52.91 грн |
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Технічний опис RF9P120BKFRATCR ROHM
Description: ROHM - RF9P120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.058 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: WFDFN2020, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).