Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF9P120BKFRATCR
RF9P120BKFRATCR

RF9P120BKFRATCR ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 100V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF9P120BKFRATCR ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RF9P120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.058 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 23W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WFDFN2020, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm.

Інші пропозиції RF9P120BKFRATCR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RF9P120BKFRATCR RF9P120BKFRATCR ROHM Description: ROHM - RF9P120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.058 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9P120BKFRATCR
RF9P120BKFRATCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF9P120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.058 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.