RF9P120BLFRATCR ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF9P120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.061 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage
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Технічний опис RF9P120BLFRATCR ROHM
Description: ROHM - RF9P120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.061 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: DFN2020Y, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції RF9P120BLFRATCR за ціною від 45.50 грн до 107.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
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RF9P120BLFRATCR | ROHM |
Description: ROHM - RF9P120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.061 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 23W Bauform - Transistor: DFN2020Y Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| RF9P120BLFRATCR |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF9P120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.061 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 23W
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RF9P120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.061 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
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| 8+ | 107.92 грн |
| 12+ | 68.30 грн |
| 100+ | 45.50 грн |