Продукція > MODULE > RFD10P03LSM

RFD10P03LSM module


RFD10P03L%2C03LSM_RFP10P03L.pdf Виробник: module

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFD10P03LSM module

Description: MOSFET P-CH 30V 10A TO252-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RFD10P03LSM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFD10P03LSM RFD10P03LSM Виробник : onsemi RFD10P03L%2C03LSM_RFP10P03L.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10A TO252-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.