Продукція > UMW > RFD12N06RLESM9A
RFD12N06RLESM9A

RFD12N06RLESM9A UMW

fb3764fd41f89189020645f8fe6d77c1.pdf
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFD12N06RLESM9A UMW

Description: ONSEMI - RFD12N06RLESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 49W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm.

Інші пропозиції RFD12N06RLESM9A за ціною від 29.76 грн до 108.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RFD12N06RLESM9A RFD12N06RLESM9A onsemi rfd12n06rlesm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.49 грн
10+66.11 грн
100+44.15 грн
500+32.60 грн
1000+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD12N06RLESM9A RFD12N06RLESM9A onsemi rfd12n06rlesm-d.pdf fb3764fd41f89189020645f8fe6d77c1.pdf MOSFETs 60V Single
на замовлення 4418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD12N06RLESM9A RFD12N06RLESM9A onsemi / Fairchild RFD12N06RLESM-D.pdf MOSFETs 60V Single
на замовлення 3901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD12N06RLESM9A RFD12N06RLESM9A ONSEMI ONSM-S-A0003589140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFD12N06RLESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 49W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD12N06RLESM9A rfd12n06rlesm-d.pdf
RFD12N06RLESM9A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.49 грн
10+66.11 грн
100+44.15 грн
500+32.60 грн
1000+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD12N06RLESM9A rfd12n06rlesm-d.pdf fb3764fd41f89189020645f8fe6d77c1.pdf
RFD12N06RLESM9A
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V Single
на замовлення 4418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD12N06RLESM9A RFD12N06RLESM-D.pdf
RFD12N06RLESM9A
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V Single
на замовлення 3901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD12N06RLESM9A ONSM-S-A0003589140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RFD12N06RLESM9A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFD12N06RLESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 49W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.