на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 22.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFD12N06RLESM9A UMW
Description: ONSEMI - RFD12N06RLESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 49W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції RFD12N06RLESM9A за ціною від 28.03 грн до 120.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RFD12N06RLESM9A | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RFD12N06RLESM9A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 49W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Power dissipation: 49W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: UltraFET® |
на замовлення 1438 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RFD12N06RLESM9A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V Single |
на замовлення 3901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RFD12N06RLESM9A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFD12N06RLESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 49W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RFD12N06RLESM9A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 49W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Power dissipation: 49W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: UltraFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1438 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RFD12N06RLESM9A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V |
на замовлення 2296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RFD12N06RLESM9A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFD12N06RLESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 49W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
RFD12N06RLESM9A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
RFD12N06RLESM9A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
RFD12N06RLESM9A | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |