Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > RFD14N05L
RFD14N05L

RFD14N05L

rfd14n05lsm-d.pdf
Код товару: 103354
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFD14N05L

  • MOSFET, N, LOGIC, I-PAK
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:50V
  • On State Resistance:0.1ohm
  • Power Dissipation:40W
  • Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
  • Transistor Case Style:I-PAK
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Alternate Case Style:I-PAK
  • Case Style:I-PAK
  • Cont Current Id:14A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vgs th:2V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:48W
  • Pulse Current Idm:20A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:50V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:5V
  • SVHC (Additional):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP)

Інші пропозиції RFD14N05L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFD14N05L Fairchild/ON Semiconductor RFD14N05LSM.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 14 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 670 @ 25, Qg, нКл = 40 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 14 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: IPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05L ONS/FAI RFD14N05LSM.pdf description Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05L RFD14N05L onsemi rfd14n05lsm-d.pdf description Description: MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05L RFD14N05L onsemi / Fairchild RFD14N05LSM_D-2320017.pdf description MOSFET TO-251AA N-Ch Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05L description RFD14N05LSM.pdf
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 14 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 670 @ 25, Qg, нКл = 40 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 14 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: IPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05L description RFD14N05LSM.pdf
Виробник: ONS/FAI
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05L description rfd14n05lsm-d.pdf
RFD14N05L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05L description RFD14N05LSM_D-2320017.pdf
RFD14N05L
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET TO-251AA N-Ch Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.