Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > RFD14N05L

RFD14N05L

rfd14n05lsm-d.pdf
Код товару: 103354
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFD14N05L

  • MOSFET, N, LOGIC, I-PAK
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:50V
  • On State Resistance:0.1ohm
  • Power Dissipation:40W
  • Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
  • Transistor Case Style:I-PAK
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Alternate Case Style:I-PAK
  • Case Style:I-PAK
  • Cont Current Id:14A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vgs th:2V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:48W
  • Pulse Current Idm:20A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:50V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:5V
  • SVHC (Additional):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP)

Інші пропозиції RFD14N05L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RFD14N05L RFD14N05L ON Semiconductor rfd14n05l.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05L RFD14N05L ONSEMI rfd14n05lsm-d.pdf description Description: ONSEMI - RFD14N05L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50
Dauer-Drainstrom Id: 14
Rds(on)-Messspannung Vgs: 5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 48
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05L description rfd14n05l.pdf
RFD14N05L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05L description rfd14n05lsm-d.pdf
RFD14N05L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFD14N05L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50
Dauer-Drainstrom Id: 14
Rds(on)-Messspannung Vgs: 5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 48
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.