RFD14N05SM9A

RFD14N05SM9A ON Semiconductor


rfd14n05sm9a.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFD14N05SM9A ON Semiconductor

Description: ONSEMI - RFD14N05SM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RFD14N05SM9A за ціною від 23.12 грн до 107.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ON Semiconductor 3659405304033637rfd14n05sm9a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : onsemi rfd14n05sm9a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.22 грн
5000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ON Semiconductor 3659405304033637rfd14n05sm9a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.48 грн
5000+27.75 грн
7500+27.39 грн
10000+26.06 грн
12500+23.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ONSEMI RFD14N05SM9A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+42.81 грн
11+36.85 грн
25+35.17 грн
28+32.64 грн
76+30.81 грн
500+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ONSEMI 2304112.pdf Description: ONSEMI - RFD14N05SM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.55 грн
500+31.73 грн
1000+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ONSEMI RFD14N05SM9A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7964 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.37 грн
7+45.92 грн
25+42.20 грн
28+39.17 грн
76+36.97 грн
500+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ON Semiconductor 3659405304033637rfd14n05sm9a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+60.27 грн
206+59.13 грн
251+48.65 грн
253+46.48 грн
500+35.92 грн
1000+29.03 грн
3000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ON Semiconductor 3659405304033637rfd14n05sm9a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+61.29 грн
11+55.97 грн
25+54.91 грн
100+43.57 грн
250+39.96 грн
500+32.02 грн
1000+26.96 грн
3000+23.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : onsemi rfd14n05sm9a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 6104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.56 грн
10+53.97 грн
100+39.83 грн
500+29.21 грн
1000+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ONSEMI 2304112.pdf Description: ONSEMI - RFD14N05SM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+102.91 грн
13+65.20 грн
100+43.55 грн
500+31.73 грн
1000+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : onsemi / Fairchild rfd14n05sm9a-d.pdf MOSFETs TO-252
на замовлення 17086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.88 грн
10+67.35 грн
100+38.60 грн
500+30.31 грн
1000+27.67 грн
2500+24.59 грн
5000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ON Semiconductor 3659405304033637rfd14n05sm9a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.