Продукція > ON SEMICONDUCTOR > RFD14N05SM9A
RFD14N05SM9A

RFD14N05SM9A ON Semiconductor

3659405304033637rfd14n05sm9a.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFD14N05SM9A ON Semiconductor

Description: ONSEMI - RFD14N05SM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції RFD14N05SM9A за ціною від 20.71 грн до 117.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ON Semiconductor 3659405304033637rfd14n05sm9a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+27.31 грн
5000+ 26.61 грн
7500+ 26.26 грн
10000+ 24.99 грн
12500+ 22.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ONSEMI 2304112.pdf Description: ONSEMI - RFD14N05SM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+37.5 грн
500+ 24.07 грн
2500+ 22.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : onsemi rfd14n05sm9a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.19 грн
10+ 44.53 грн
100+ 34.61 грн
500+ 27.54 грн
1000+ 22.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ON Semiconductor 3659405304033637rfd14n05sm9a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
202+57.8 грн
206+ 56.7 грн
251+ 46.66 грн
253+ 44.57 грн
500+ 34.45 грн
1000+ 27.84 грн
3000+ 24.27 грн
Мінімальне замовлення: 202
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ON Semiconductor 3659405304033637rfd14n05sm9a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+58.77 грн
11+ 53.67 грн
25+ 52.65 грн
100+ 41.78 грн
250+ 38.32 грн
500+ 30.71 грн
1000+ 25.85 грн
3000+ 22.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : onsemi / Fairchild RFD14N05SM9A_D-2319828.pdf MOSFET TO-252
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+60.68 грн
10+ 49.4 грн
100+ 33.43 грн
500+ 28.37 грн
1000+ 23.11 грн
2500+ 21.71 грн
5000+ 20.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ONSEMI 2304112.pdf Description: ONSEMI - RFD14N05SM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+66.71 грн
15+ 52.67 грн
100+ 37.5 грн
500+ 24.07 грн
2500+ 22.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ONSEMI RFD14N05SM9A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 8080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.86 грн
9+ 39.82 грн
25+ 31.91 грн
28+ 29.29 грн
76+ 27.69 грн
500+ 26.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ONSEMI RFD14N05SM9A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8080 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.44 грн
6+ 49.62 грн
25+ 38.29 грн
28+ 35.15 грн
76+ 33.23 грн
500+ 32.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ON Semiconductor rfd14n05sm9a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ON Semiconductor 3659405304033637rfd14n05sm9a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : onsemi rfd14n05sm9a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товар відсутній