
RFD14N05SM9A ON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 25.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFD14N05SM9A ON Semiconductor
Description: ONSEMI - RFD14N05SM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RFD14N05SM9A за ціною від 23.12 грн до 107.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RFD14N05SM9A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
RFD14N05SM9A | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
RFD14N05SM9A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
RFD14N05SM9A | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 14A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 7964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
RFD14N05SM9A | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 48W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
RFD14N05SM9A | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 14A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7964 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
RFD14N05SM9A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
RFD14N05SM9A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
RFD14N05SM9A | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
на замовлення 6104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
RFD14N05SM9A | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
RFD14N05SM9A | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 17086 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
RFD14N05SM9A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |