Продукція > ONSEMI > RFD14N05SM9A
RFD14N05SM9A

RFD14N05SM9A onsemi

rfd14n05sm9a-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.71 грн
5000+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFD14N05SM9A onsemi

Description: ONSEMI - RFD14N05SM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RFD14N05SM9A за ціною від 22.86 грн до 86.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ON Semiconductor rfd14n05sm9a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.10 грн
5000+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ON Semiconductor rfd14n05sm9a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ON Semiconductor rfd14n05sm9a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.11 грн
5000+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DECAA1801C6745&compId=RFD14N05SM9A.pdf?ci_sign=47ce6443d8b653473e0be2be6a7e70ce337923f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+42.33 грн
11+36.43 грн
25+34.77 грн
28+32.65 грн
76+30.84 грн
500+29.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ONSEMI 2304112.pdf Description: ONSEMI - RFD14N05SM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.39 грн
500+31.90 грн
1000+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DECAA1801C6745&compId=RFD14N05SM9A.pdf?ci_sign=47ce6443d8b653473e0be2be6a7e70ce337923f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7964 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+50.80 грн
7+45.40 грн
25+41.73 грн
28+39.19 грн
76+37.01 грн
500+35.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : onsemi rfd14n05sm9a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 6104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.42 грн
10+52.53 грн
100+37.83 грн
500+28.38 грн
1000+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : onsemi / Fairchild rfd14n05sm9a-d.pdf MOSFETs TO-252
на замовлення 6801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.51 грн
10+56.50 грн
100+37.30 грн
500+31.42 грн
1000+25.76 грн
2500+24.16 грн
5000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ONSEMI 2304112.pdf Description: ONSEMI - RFD14N05SM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.29 грн
14+58.29 грн
100+43.39 грн
500+31.90 грн
1000+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ON Semiconductor rfd14n05sm9a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Виробник : ON Semiconductor rfd14n05sm9a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.