Продукція > ON SEMICONDUCTOR > RFD14N05SM9A
RFD14N05SM9A

RFD14N05SM9A ON Semiconductor

rfd14n05sm9a-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+32.53 грн
5000+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFD14N05SM9A ON Semiconductor

Description: ONSEMI - RFD14N05SM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 48W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 48W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

Інші пропозиції RFD14N05SM9A за ціною від 27.16 грн до 143.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A ON Semiconductor rfd14n05sm9a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.62 грн
5000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A ONSEMI RFD14N05SM9A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3573 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.23 грн
13+34.47 грн
25+32.86 грн
100+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A onsemi rfd14n05sm9a-d.pdf MOSFETs TO-252
на замовлення 45941 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+143.95 грн
10+87.39 грн
100+50.33 грн
500+39.57 грн
1000+33.86 грн
2500+30.70 грн
5000+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A ONSEMI rfd14n05sm9a-d.pdf Description: ONSEMI - RFD14N05SM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A ONSEMI rfd14n05sm9a-d.pdf Description: ONSEMI - RFD14N05SM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A rfd14n05sm9a-d.pdf
RFD14N05SM9A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+32.62 грн
5000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A.pdf
RFD14N05SM9A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3573 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+40.23 грн
13+34.47 грн
25+32.86 грн
100+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A rfd14n05sm9a-d.pdf
RFD14N05SM9A
Виробник: onsemi
MOSFETs TO-252
на замовлення 45941 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.95 грн
10+87.39 грн
100+50.33 грн
500+39.57 грн
1000+33.86 грн
2500+30.70 грн
5000+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A rfd14n05sm9a-d.pdf
RFD14N05SM9A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFD14N05SM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05SM9A rfd14n05sm9a-d.pdf
RFD14N05SM9A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFD14N05SM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.