Технічний опис RFD15P05 FAIRCHILD
Description: MOSFET P-CH 50V 15A I-PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V.
Інші пропозиції RFD15P05
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| RFD15P05 | Fairchild/ON Semiconductor |
 P-канальный ПТ (Vds=50V, Id=15A, Rds=0.15 R, P=80W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: TO-251AA Од. вим: шткількість в упаковці: 10 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
RFD15P05 | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 50V 15A I-PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
RFD15P05 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs TO-251AA P-Ch Power |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| RFD15P05 |
|
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
P-канальный ПТ (Vds=50V, Id=15A, Rds=0.15 R, P=80W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: TO-251AA Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10 шт
P-канальный ПТ (Vds=50V, Id=15A, Rds=0.15 R, P=80W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: TO-251AA Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RFD15P05 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 50V 15A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 50V 15A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RFD15P05 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs TO-251AA P-Ch Power
MOSFETs TO-251AA P-Ch Power
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.