
RFD16N05LSM Harris Corporation

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
503+ | 45.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFD16N05LSM Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V.
Інші пропозиції RFD16N05LSM
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
RFD16N05LSM | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
RFD16N05LSM | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
RFD16N05LSM | Виробник : FSC |
![]() ![]() |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
RFD16N05LSM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
RFD16N05LSM | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |