RFD16N05LSM Harris Corporation
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFD16N05LSM Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V.
Інші пропозиції RFD16N05LSM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| RFD16N05LSM | FAIRCHILD |
TO-252/D-PAK |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RFD16N05LSM |
![]() |
Виробник: FAIRCHILD
TO-252/D-PAK
TO-252/D-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


