Продукція > ONSEMI > RFD16N05LSM9A
RFD16N05LSM9A

RFD16N05LSM9A onsemi

rfd16n05lsm-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.52 грн
5000+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFD16N05LSM9A onsemi

Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 60W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції RFD16N05LSM9A за ціною від 20.05 грн до 102.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM9A Виробник : ON Semiconductor rfd16n05lsm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM9A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014831374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.72 грн
500+41.45 грн
1000+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM9A Виробник : UMW ffd69c2e365f2fa5e36d0bb3f6538b1a.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.04 грн
10+42.48 грн
100+27.72 грн
500+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM9A Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DED89819534745&compId=RFD16N05LSM.pdf?ci_sign=32c18ccd0ce4e1c084e81432ae4b32379f5f3710 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+84.81 грн
7+63.96 грн
10+57.36 грн
20+47.25 грн
50+44.55 грн
100+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM9A Виробник : onsemi rfd16n05lsm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 7104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.70 грн
10+58.87 грн
100+43.02 грн
500+34.80 грн
1000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM9A Виробник : onsemi / Fairchild RFD16N05LSM-D.PDF MOSFETs Power MOSFET
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.11 грн
10+63.93 грн
100+40.55 грн
500+35.74 грн
1000+32.61 грн
2500+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM9A Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DED89819534745&compId=RFD16N05LSM.pdf?ci_sign=32c18ccd0ce4e1c084e81432ae4b32379f5f3710 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.77 грн
5+79.70 грн
10+68.83 грн
20+56.70 грн
50+53.46 грн
100+51.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM9A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014831374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+102.80 грн
13+69.39 грн
100+50.72 грн
500+41.45 грн
1000+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM9A Виробник : ON Semiconductor rfd16n05lsm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM9A Виробник : ON Semiconductor rfd16n05lsm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM9A Виробник : UMW ffd69c2e365f2fa5e36d0bb3f6538b1a.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.