| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 65.72 грн |
| 10+ | 39.31 грн |
| 100+ | 25.66 грн |
| 500+ | 18.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFD16N05LSM9A UMW
Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 60W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 60W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm.
Інші пропозиції RFD16N05LSM9A за ціною від 29.40 грн до 111.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RFD16N05LSM9A | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V |
на замовлення 1387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RFD16N05LSM9A | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 16A Power dissipation: 60W Case: DPAK Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement On-state resistance: 56mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC |
на замовлення 2125 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RFD16N05LSM9A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 60W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm |
на замовлення 2488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
RFD16N05LSM9A | onsemi |
MOSFETs Power MOSFET |
на замовлення 3613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
RFD16N05LSM9A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 60W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 60W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm |
на замовлення 2488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RFD16N05LSM9A |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 106.70 грн |
| 10+ | 65.22 грн |
| 100+ | 43.59 грн |
| 500+ | 32.20 грн |
| 1000+ | 29.40 грн |
| RFD16N05LSM9A |
|
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 111.36 грн |
| 6+ | 76.11 грн |
| 10+ | 67.84 грн |
| 50+ | 51.29 грн |
| 100+ | 45.50 грн |
| 500+ | 44.67 грн |
| RFD16N05LSM9A |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RFD16N05LSM9A |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET
MOSFETs Power MOSFET
на замовлення 3613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RFD16N05LSM9A |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)