Продукція > ONSEMI > RFD16N05LSM9A
RFD16N05LSM9A

RFD16N05LSM9A onsemi

rfd16n05lsm-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+31.71 грн
5000+28.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFD16N05LSM9A onsemi

Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 60W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 60W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm.

Інші пропозиції RFD16N05LSM9A за ціною від 32.44 грн до 147.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM9A ONSEMI RFD16N05LSM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.78 грн
6+77.08 грн
10+68.70 грн
50+51.94 грн
100+46.08 грн
500+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM9A onsemi rfd16n05lsm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 11426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.85 грн
10+77.59 грн
50+58.25 грн
100+48.81 грн
500+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM9A onsemi rfd16n05lsm-d.pdf MOSFETs Power MOSFET
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+147.24 грн
10+91.35 грн
100+52.34 грн
500+41.50 грн
1000+36.90 грн
2500+33.70 грн
5000+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM9A ONSEMI ONSM-S-A0014831374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM9A ONSEMI rfd16n05lsm-d.pdf Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM.pdf
RFD16N05LSM9A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+112.78 грн
6+77.08 грн
10+68.70 грн
50+51.94 грн
100+46.08 грн
500+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9A rfd16n05lsm-d.pdf
RFD16N05LSM9A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 11426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.85 грн
10+77.59 грн
50+58.25 грн
100+48.81 грн
500+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9A rfd16n05lsm-d.pdf
RFD16N05LSM9A
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.24 грн
10+91.35 грн
100+52.34 грн
500+41.50 грн
1000+36.90 грн
2500+33.70 грн
5000+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9A ONSM-S-A0014831374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RFD16N05LSM9A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9A rfd16n05lsm-d.pdf
RFD16N05LSM9A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.