Продукція > ONSEMI > RFD16N05SM9A
RFD16N05SM9A

RFD16N05SM9A onsemi


rfd16n05sm-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.84 грн
5000+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFD16N05SM9A onsemi

Description: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 72W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RFD16N05SM9A за ціною від 37.20 грн до 115.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFD16N05SM9A RFD16N05SM9A Виробник : onsemi rfd16n05sm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 11994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.57 грн
10+72.16 грн
100+57.03 грн
500+42.34 грн
1000+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05SM9A RFD16N05SM9A Виробник : onsemi / Fairchild rfd16n05sm-d.pdf MOSFETs Power MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.33 грн
10+77.75 грн
25+67.31 грн
100+53.35 грн
250+53.05 грн
500+42.03 грн
1000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05SM9A RFD16N05SM9A Виробник : ON Semiconductor rfd16n05sm.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05SM9A RFD16N05SM9A Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DEF75F1BB8E745&compId=RFD16N05SM.pdf?ci_sign=11584988654cc6f71ae7865d85d2e4358f7455d0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 72W; DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
On-state resistance: 47mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 72W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05SM9A RFD16N05SM9A Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DEF75F1BB8E745&compId=RFD16N05SM.pdf?ci_sign=11584988654cc6f71ae7865d85d2e4358f7455d0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 72W; DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
On-state resistance: 47mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 72W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.