Продукція > ONSEMI > RFD16N06LESM9A
RFD16N06LESM9A

RFD16N06LESM9A onsemi

rfd16n06lesm-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFD16N06LESM9A onsemi

Description: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції RFD16N06LESM9A за ціною від 55.92 грн до 165.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A Виробник : ON Semiconductor rfd16n06lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
136+90.11 грн
157+77.97 грн
159+77.19 грн
183+64.61 грн
250+59.23 грн
500+56.60 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003589231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.81 грн
500+74.28 грн
1000+58.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A Виробник : ON Semiconductor rfd16n06lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+96.55 грн
10+83.54 грн
25+82.70 грн
100+69.23 грн
250+63.46 грн
500+60.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A Виробник : onsemi / Fairchild rfd16n06lesm-d.pdf MOSFETs 60V Single
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.24 грн
10+82.09 грн
100+59.84 грн
500+59.01 грн
1000+57.43 грн
2500+55.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DEF32D2AF8E745&compId=RFD16N06LESM.pdf?ci_sign=ea3565670b80d04c4e5eda160f79d71f2a980904 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.51 грн
5+86.47 грн
10+80.18 грн
25+78.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DEF32D2AF8E745&compId=RFD16N06LESM.pdf?ci_sign=ea3565670b80d04c4e5eda160f79d71f2a980904 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.01 грн
5+107.75 грн
10+96.21 грн
25+94.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A Виробник : onsemi rfd16n06lesm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 5459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.32 грн
10+93.78 грн
100+69.79 грн
500+59.94 грн
1000+59.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003589231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+165.92 грн
50+120.20 грн
100+94.81 грн
500+74.28 грн
1000+58.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A Виробник : ON Semiconductor 3671840288389670rfd16n06lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A Виробник : ON Semiconductor rfd16n06lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.