Продукція > ONSEMI > RFD16N06LESM9A

RFD16N06LESM9A onsemi

Name: RFD16N06LESM9A
Brand: onsemi
SKU: 1055723-3
Price: 142850.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	57.14 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис RFD16N06LESM9A onsemi

Description: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції RFD16N06LESM9A за ціною від 58.61 грн до 192.52 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

RFD16N06LESM9A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	69.52 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

RFD16N06LESM9A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	71.97 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

RFD16N06LESM9A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 554 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
164+	77.59 грн
177+	71.83 грн
179+	71.11 грн
181+	67.70 грн
250+	61.88 грн
500+	58.64 грн

Мінімальне замовлення: 164

В кошику од. на суму грн.

RFD16N06LESM9A

Виробник : ONSEMI

ONSM-S-A0003589231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 3536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	78.53 грн
500+	71.85 грн
1000+	65.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RFD16N06LESM9A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 554 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	83.53 грн
10+	77.20 грн
25+	76.43 грн
100+	72.68 грн
250+	66.37 грн
500+	62.82 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RFD16N06LESM9A

Виробник : ONSEMI

на замовлення 3536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	117.13 грн
50+	94.95 грн
100+	78.53 грн
500+	71.85 грн
1000+	65.79 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RFD16N06LESM9A

Виробник : onsemi / Fairchild

MOSFETs 60V Single

на замовлення 1011 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	131.04 грн
10+	101.88 грн
100+	70.08 грн
500+	61.86 грн
2500+	58.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RFD16N06LESM9A

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

на замовлення 3183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	192.52 грн
10+	119.39 грн
100+	81.84 грн
500+	61.72 грн
1000+	61.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

RFD16N06LESM9A

Виробник : ONSEMI

RFD16N06LESM9A SMD N channel transistors

на замовлення 134 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	167.18 грн
11+	109.75 грн
30+	103.82 грн
100+	103.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

RFD16N06LESM9A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RFD16N06LESM9A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.