Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > RFD16N06LESM9A
RFD16N06LESM9A

RFD16N06LESM9A onsemi / Fairchild

RFD16N06LESM-D.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V Single
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.37 грн
10+88.92 грн
100+61.16 грн
500+53.98 грн
2500+51.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFD16N06LESM9A onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції RFD16N06LESM9A за ціною від 78.20 грн до 198.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A ONSEMI RFD16N06LESM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+146.76 грн
5+109.69 грн
10+98.05 грн
25+83.93 грн
50+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A onsemi rfd16n06lesm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.29 грн
10+114.12 грн
100+78.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A ONSEMI rfd16n06lesm-d.pdf Description: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.93 грн
50+128.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A ONSEMI rfd16n06lesm-d.pdf Description: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM.pdf
RFD16N06LESM9A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+146.76 грн
5+109.69 грн
10+98.05 грн
25+83.93 грн
50+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9A rfd16n06lesm-d.pdf
RFD16N06LESM9A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+183.29 грн
10+114.12 грн
100+78.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9A rfd16n06lesm-d.pdf
RFD16N06LESM9A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+198.93 грн
50+128.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9A rfd16n06lesm-d.pdf
RFD16N06LESM9A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.