Технічний опис RFD3055LE onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 60V 11A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 8A, 5V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції RFD3055LE за ціною від 25.72 грн до 25.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RFD3055LE | Виробник : ON-Semicoductor |
 N-MOSFET 11A 60V 38W 107mOhm RFD3055LE TRFD3055leкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
|
RFD3055LE Код товару: 167006 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||
 |
RFD3055LE | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
|||||
 |
RFD3055LE | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 11A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 8A, 5V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
товар відсутній |