Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > RFD3055LESM9A

RFD3055LESM9A

rfd3055lesm-d.pdf
Код товару: 170591
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції RFD3055LESM9A за ціною від 17.76 грн до 83.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A onsemi rfd3055lesm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 8A, 5V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.99 грн
5000+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A ON Semiconductor rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A ON Semiconductor rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A ON Semiconductor rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+33.07 грн
500+30.36 грн
1000+30.28 грн
2500+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A ON Semiconductor rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+34.82 грн
408+34.47 грн
414+33.99 грн
418+32.45 грн
500+27.28 грн
1000+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A ONSEMI RFD3055LESM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.14 грн
15+28.66 грн
100+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A ON Semiconductor rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+46.71 грн
410+34.30 грн
419+33.55 грн
500+28.21 грн
1000+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A ON Semiconductor rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.47 грн
22+34.82 грн
25+34.47 грн
100+32.78 грн
250+30.05 грн
500+26.19 грн
1000+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A onsemi rfd3055lesm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 8A, 5V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 20397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.90 грн
10+50.55 грн
100+33.23 грн
500+24.20 грн
1000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A ONSEMI ONSM-S-A0003589376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFD3055LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.107 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A onsemi rfd3055lesm-d.pdf MOSFETs Power MOSFET
на замовлення 86023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A ONSEMI ONSM-S-A0003589376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFD3055LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.107 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A rfd3055lesm-d.pdf
RFD3055LESM9A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 8A, 5V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.99 грн
5000+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A rfd3055lesm-d.pdf
RFD3055LESM9A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A rfd3055lesm-d.pdf
RFD3055LESM9A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A rfd3055lesm-d.pdf
RFD3055LESM9A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
425+33.07 грн
500+30.36 грн
1000+30.28 грн
2500+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A rfd3055lesm-d.pdf
RFD3055LESM9A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
404+34.82 грн
408+34.47 грн
414+33.99 грн
418+32.45 грн
500+27.28 грн
1000+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM.pdf
RFD3055LESM9A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.14 грн
15+28.66 грн
100+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A rfd3055lesm-d.pdf
RFD3055LESM9A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
301+46.71 грн
410+34.30 грн
419+33.55 грн
500+28.21 грн
1000+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A rfd3055lesm-d.pdf
RFD3055LESM9A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+49.47 грн
22+34.82 грн
25+34.47 грн
100+32.78 грн
250+30.05 грн
500+26.19 грн
1000+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A rfd3055lesm-d.pdf
RFD3055LESM9A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 8A, 5V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 20397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.90 грн
10+50.55 грн
100+33.23 грн
500+24.20 грн
1000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A ONSM-S-A0003589376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RFD3055LESM9A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFD3055LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.107 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A rfd3055lesm-d.pdf
RFD3055LESM9A
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET
на замовлення 86023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A ONSM-S-A0003589376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RFD3055LESM9A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFD3055LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.107 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.