Продукція > ONSEMI > RFD3055LESM9A
RFD3055LESM9A

RFD3055LESM9A onsemi

rfd3055lesm-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 8A, 5V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.39 грн
5000+19.55 грн
7500+18.97 грн
12500+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFD3055LESM9A onsemi

Description: ONSEMI - RFD3055LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.107 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 38W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції RFD3055LESM9A за ціною від 19.52 грн до 45.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : ON Semiconductor 3671782392731373rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : ON Semiconductor rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : ON Semiconductor rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : ONSEMI RFD3055LESM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+34.44 грн
16+25.67 грн
25+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : onsemi rfd3055lesm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 8A, 5V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 27626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.17 грн
13+26.49 грн
100+26.28 грн
500+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : ONSEMI RFD3055LESM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.33 грн
10+31.99 грн
25+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : onsemi / Fairchild RFD3055LESM-D.pdf MOSFETs Power MOSFET
на замовлення 98994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.88 грн
13+29.15 грн
100+24.72 грн
500+23.07 грн
1000+22.99 грн
2500+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003589376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFD3055LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.107 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+43.98 грн
28+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : ON Semiconductor rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+45.92 грн
18+42.57 грн
25+41.78 грн
100+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : ON Semiconductor rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003589376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFD3055LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.107 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A
Код товару: 170591
Додати до обраних Обраний товар

rfd3055lesm-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : ON Semiconductor rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.