Продукція > ONSEMI > RFD3055LESM9A
RFD3055LESM9A

RFD3055LESM9A onsemi

rfd3055lesm-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 8A, 5V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.47 грн
5000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFD3055LESM9A onsemi

Description: ONSEMI - RFD3055LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.107 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 38W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RFD3055LESM9A за ціною від 18.41 грн до 104.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : ON Semiconductor rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : ON Semiconductor 3671782392731373rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : ON Semiconductor rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : ONSEMI rfd3055lesm-d.pdf Description: ONSEMI - RFD3055LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.107 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.73 грн
500+22.27 грн
1000+20.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : ON Semiconductor rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+37.96 грн
18+35.20 грн
25+34.54 грн
100+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : onsemi rfd3055lesm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 8A, 5V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 34875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.56 грн
11+28.69 грн
100+23.44 грн
500+20.25 грн
1000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003589376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFD3055LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.107 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.30 грн
24+34.73 грн
100+25.73 грн
500+22.27 грн
1000+20.20 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : onsemi / Fairchild rfd3055lesm-d.pdf MOSFETs Power MOSFET
на замовлення 106862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.37 грн
10+34.23 грн
100+24.35 грн
500+22.42 грн
1000+21.90 грн
2500+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DEE558ACB94745&compId=RFD3055LESM.pdf?ci_sign=129cc0944e6a4e688008b2cf6f899e1a94afbadf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.44 грн
11+38.20 грн
25+30.70 грн
34+26.99 грн
93+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DEE558ACB94745&compId=RFD3055LESM.pdf?ci_sign=129cc0944e6a4e688008b2cf6f899e1a94afbadf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.93 грн
7+47.60 грн
25+36.84 грн
34+32.38 грн
93+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : ON Semiconductor rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A
Код товару: 170591
Додати до обраних Обраний товар

rfd3055lesm-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Виробник : ON Semiconductor rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.