Інші пропозиції RFD3055LESM9A за ціною від 17.21 грн до 84.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RFD3055LESM9A | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO252AAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 8A, 5V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RFD3055LESM9A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RFD3055LESM9A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 11A Power dissipation: 38W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.107Ω Mounting: SMD Gate charge: 11.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1855 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RFD3055LESM9A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RFD3055LESM9A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFD3055LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.107 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RFD3055LESM9A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RFD3055LESM9A | Виробник : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET |
на замовлення 85994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RFD3055LESM9A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RFD3055LESM9A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 8A, 5V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 16450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RFD3055LESM9A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFD3055LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.107 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 38W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
RFD3055LESM9A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |