Продукція > RFD > RFD8P05+SM

RFD8P05+SM



Виробник:

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFD8P05+SM

Description: MOSFET P-CH 50V 8A TO252AA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tube.

Інші пропозиції RFD8P05+SM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFD8P05SM Виробник : HARRIS RFD8P05%2C05SM_RFP8P05.pdf 2000 TO-252
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.