Продукція > HARRIS CORPORATION > RFG50N05
RFG50N05

RFG50N05 Harris Corporation

HRISD017-4-750.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250nA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 20 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+394.44 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFG50N05 Harris Corporation

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250nA, Supplier Device Package: TO-247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 20 V.

Інші пропозиції RFG50N05

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFG50N05 HRISD017-4-750.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFG50N05+
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.