RFL4N15

RFL4N15 Harris Corporation


HRISD017-4-621.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Harris Corporation
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 1187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
273+74.01 грн
Мінімальне замовлення: 273
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFL4N15 Harris Corporation

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AF Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 8.33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RFL4N15

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RFL4N15 Виробник : HARRIS HRISD017-4-621.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RFL4N15 Виробник : HARRIS HRISD017-4-621.pdf?t.download=true&u=5oefqw CAN
на замовлення 627 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)