Продукція > HARRIS CORPORATION > RFM6P10
RFM6P10

RFM6P10 Harris Corporation

HRISD017-5-157.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 3064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
177+127.75 грн
Мінімальне замовлення: 177
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFM6P10 Harris Corporation

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RFM6P10 за ціною від 156.20 грн до 156.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFM6P10 Виробник : HARRIS HRISD017-5-157.pdf?t.download=true&u=5oefqw RFM6P10
на замовлення 3064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+156.20 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
RFM6P10 Виробник : MOT HRISD017-5-157.pdf?t.download=true&u=5oefqw 01+ TO-3
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.