RFN10BGE3STL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: DIODE STANDARD 350V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 34.41 грн |
| 5000+ | 32.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFN10BGE3STL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RFN10BGE3STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 350 V, 10 A, Einfach, 1.5 V, 30 ns, 80 A, tariffCode: 85044083, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 80A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.5V, Sperrverzögerungszeit: 30ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 350V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RFN10BGE3STL за ціною від 31.71 грн до 127.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RFN10BGE3STL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Diode Switching Si 350V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RFN10BGE3STL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RFN10BGE3STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 350 V, 10 A, Einfach, 1.5 V, 30 ns, 80 A tariffCode: 85044083 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 350V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 4963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RFN10BGE3STL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RFN10BGE3STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 350 V, 10 A, Einfach, 1.5 V, 30 ns, 80 A tariffCode: 85044083 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 350V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 4963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RFN10BGE3STL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Rectifiers RECT 1.25V 10A TO-252-3 |
на замовлення 3692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RFN10BGE3STL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Diode Switching Si 350V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RFN10BGE3STL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE STANDARD 350V 10A TO252GE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V |
на замовлення 8254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|