RFN10NS8DTL Rohm Semiconductor
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 112+ | 109.54 грн |
| 122+ | 100.42 грн |
| 150+ | 81.66 грн |
| 200+ | 73.65 грн |
| 1000+ | 60.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFN10NS8DTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RFN10NS8DTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.1 V, 40 ns, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263S, Durchlassstoßstrom: 60A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 2.1V, Sperrverzögerungszeit: 40ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RFN10NS8DTL за ціною від 87.34 грн до 274.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RFN10NS8DTL | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - RFN10NS8DTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.1 V, 40 nstariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263S Durchlassstoßstrom: 60A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 40ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RFN10NS8DTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Diode Switching 800V 10A 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R |
на замовлення 586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RFN10NS8DTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY GP 800V 10A LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
на замовлення 965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RFN10NS8DTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Rectifiers DIODE-RECTIFIER |
на замовлення 1777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RFN10NS8DTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RFN10NS8DTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.1 V, 40 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263S Durchlassstoßstrom: 60A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 40ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RFN10NS8DTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY GP 800V 10A LPDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |