
RFN10TB4SNZC9 Rohm Semiconductor
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
168+ | 72.83 грн |
189+ | 64.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFN10TB4SNZC9 Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 430V 10A TO220NFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220NFM, Operating Temperature - Junction: 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 430 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 430 V.
Інші пропозиції RFN10TB4SNZC9 за ціною від 29.18 грн до 99.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RFN10TB4SNZC9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220NFM Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 430 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 430 V |
на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
RFN10TB4SNZC9 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
RFN10TB4SNZC9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |