RFN1L6STE25 ROHM Semiconductor
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.29 грн |
| 10+ | 49.96 грн |
| 1500+ | 6.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFN1L6STE25 ROHM Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 800mA, Supplier Device Package: PMDS, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 800 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V.
Інші пропозиції RFN1L6STE25
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RFN1L6STE25 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: PMDS Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
RFN1L6STE25 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: PMDS Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |