Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RFN1L6STE25
RFN1L6STE25

RFN1L6STE25 ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
Small Signal Switching Diodes Diode Switching 600V 0.8A
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.97 грн
10+47.71 грн
1500+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFN1L6STE25 ROHM Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 800 mA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Supplier Device Package: PMDS, Current - Average Rectified (Io): 800mA, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AC, SMA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RFN1L6STE25

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RFN1L6STE25 RFN1L6STE25 Rohm Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PMDS
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN1L6STE25 RFN1L6STE25 Rohm Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PMDS
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN1L6STE25
RFN1L6STE25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PMDS
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN1L6STE25
RFN1L6STE25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PMDS
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.