RFN1LAM6STR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: PMDTM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.93 грн |
| 6000+ | 6.53 грн |
| 9000+ | 5.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFN1LAM6STR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RFN1LAM6STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.45 V, 35 ns, 15 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-128, Durchlassstoßstrom: 15A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.45V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RFN1LAM6STR за ціною від 6.19 грн до 36.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RFN1LAM6STR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RFN1LAM6STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.45 V, 35 ns, 15 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 Durchlassstoßstrom: 15A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.45V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RFN1LAM6STR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: PMDTM Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
на замовлення 29682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RFN1LAM6STR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RFN1LAM6STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.45 V, 35 ns, 15 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 Durchlassstoßstrom: 15A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.45V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RFN1LAM6STR | Виробник : ROHM Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V Vr 0.8A Io Fast Recovery Diode |
на замовлення 24491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RFN1LAM6STR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RFN1LAM6STR SMD universal diodes |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|