RFN3BGE2STL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RFN3BGE2STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 980mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 46.13 грн |
| 500+ | 34.19 грн |
| 1000+ | 29.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFN3BGE2STL ROHM
Description: ROHM - RFN3BGE2STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 40 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 40A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 980mV, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RFN3BGE2STL за ціною від 29.02 грн до 103.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RFN3BGE2STL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252GE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
на замовлення 2486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RFN3BGE2STL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Super Fast Recovery Diode |
на замовлення 2463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RFN3BGE2STL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RFN3BGE2STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 40 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 40A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 980mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RFN3BGE2STL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252GE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |