RFN3BM2SFHTL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 40.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFN3BM2SFHTL Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: TO-252, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RFN3BM2SFHTL за ціною від 38.41 грн до 111.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RFN3BM2SFHTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: TO-252 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RFN3BM2SFHTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V Vrm 3A Io Recovery Diode |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RFN3BM2SFHTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RFN3BM2SFHTL SMD universal diodes |
товару немає в наявності |