RFN6BGE2DTL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: SUPER FAST RECOVERY DIODE. RFN6B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 44.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFN6BGE2DTL Rohm Semiconductor
Description: SUPER FAST RECOVERY DIODE. RFN6B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A, Supplier Device Package: TO-252GE, Operating Temperature - Junction: 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції RFN6BGE2DTL за ціною від 36.31 грн до 108.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RFN6BGE2DTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SUPER FAST RECOVERY DIODE. RFN6B Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RFN6BGE2DTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching SUPER FAST RECOVERY DIODE |
на замовлення 2483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|