Продукція > HARRIS CORPORATION > RFP10N12L
RFP10N12L

RFP10N12L Harris Corporation

HRISD017-6-66.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 54904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
259+89.81 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFP10N12L Harris Corporation

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5A, 5V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RFP10N12L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFP10N12L HRISD017-6-66.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.