Продукція > ON SEMICONDUCTOR > RFP12N10L
RFP12N10L

RFP12N10L ON Semiconductor

rfp12n10l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFP12N10L ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 5V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RFP12N10L за ціною від 23.54 грн до 97.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RFP12N10L RFP12N10L Виробник : onsemi rfp12n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 7187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.76 грн
50+ 61.67 грн
100+ 48.86 грн
500+ 38.87 грн
1000+ 31.67 грн
2000+ 29.81 грн
5000+ 27.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
RFP12N10L RFP12N10L Виробник : ONSEMI RFP12N10L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+81.22 грн
6+ 60.2 грн
17+ 47.74 грн
47+ 44.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
RFP12N10L RFP12N10L Виробник : ON Semiconductor rfp12n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
139+83.79 грн
179+ 65.28 грн
500+ 53.7 грн
1000+ 40.26 грн
Мінімальне замовлення: 139
RFP12N10L RFP12N10L Виробник : ON Semiconductor rfp12n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+86.79 грн
10+ 77.81 грн
100+ 60.61 грн
500+ 48.09 грн
1000+ 34.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
RFP12N10L RFP12N10L Виробник : onsemi / Fairchild RFP12N10L_D-2319858.pdf MOSFET TO-220AB N-Ch Power
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.8 грн
10+ 68.6 грн
100+ 47.23 грн
500+ 40.12 грн
800+ 31.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
RFP12N10L RFP12N10L Виробник : ONSEMI RFP12N10L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97.47 грн
5+ 75.02 грн
17+ 57.29 грн
47+ 53.97 грн
500+ 51.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
RFP12N10L RFP12N10L Виробник : ONSEMI rfp12n10l-d.pdf Description: ONSEMI - RFP12N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+97.62 грн
11+ 73.1 грн
100+ 54.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
RFP12N10L Виробник : ON-Semicoductor rfp12n10l-d.pdf N-MOSFET 12A 100V 60W 0.20Ω RFP12N10L TRFP12N10l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 30
RFP12N10L Виробник : ON-Semicoductor rfp12n10l-d.pdf N-MOSFET 12A 100V 60W 0.20Ω RFP12N10L TRFP12N10l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+53.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
RFP12N10L RFP12N10L
Код товару: 86863 		rfp12n10l-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній