Продукція > ON SEMICONDUCTOR > RFP12N10L
RFP12N10L

RFP12N10L ON Semiconductor

rfp12n10l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFP12N10L ON Semiconductor

Description: ONSEMI - RFP12N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RFP12N10L за ціною від 25.94 грн до 123.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFP12N10L RFP12N10L Виробник : ON Semiconductor rfp12n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
139+87.60 грн
179+68.24 грн
500+56.14 грн
1000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
RFP12N10L RFP12N10L Виробник : ON Semiconductor rfp12n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+90.73 грн
10+81.35 грн
100+63.37 грн
500+50.27 грн
1000+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RFP12N10L RFP12N10L Виробник : onsemi rfp12n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.62 грн
50+46.25 грн
100+45.10 грн
500+38.77 грн
1000+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFP12N10L RFP12N10L Виробник : ONSEMI RFP12N10L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.91 грн
10+56.65 грн
20+45.03 грн
55+42.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFP12N10L RFP12N10L Виробник : onsemi / Fairchild RFP12N10L_D-2319858.pdf MOSFETs TO-220AB N-Ch Power
на замовлення 2121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.31 грн
10+60.68 грн
100+47.48 грн
500+38.46 грн
1000+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFP12N10L RFP12N10L Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003589596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFP12N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.44 грн
13+63.97 грн
100+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RFP12N10L RFP12N10L Виробник : ONSEMI RFP12N10L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.49 грн
10+70.59 грн
20+54.03 грн
55+51.10 грн
500+49.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFP12N10L Виробник : ON-Semicoductor rfp12n10l-d.pdf N-MOSFET 12A 100V 60W 0.20Ω RFP12N10L TRFP12N10l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
RFP12N10L Виробник : ON-Semicoductor rfp12n10l-d.pdf N-MOSFET 12A 100V 60W 0.20Ω RFP12N10L TRFP12N10l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RFP12N10L RFP12N10L
Код товару: 86863
Додати до обраних Обраний товар

rfp12n10l-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.