Технічний опис RFP12N10L
- MOSFET, N, LOGIC, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:100V
- Cont Current Id:12A
- On State Resistance:0.2ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:5V
- Typ Voltage Vgs th:2V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
- SVHC:Cobalt dichloride
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:100V
- Max Voltage Vgs th:2V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:60W
- Power Dissipation Pd:60W
- Pulse Current Idm:30A
- SMD Marking:RFP12N10L
- SVHC (Additional):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP)
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції RFP12N10L за ціною від 27.11 грн до 126.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RFP12N10L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFP12N10L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFP12N10L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFP12N10L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFP12N10L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RFP12N10L | onsemi / Fairchild |
MOSFETs TO-220AB N-Ch Power |
на замовлення 1255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFP12N10L | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFP12N10L | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 5V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V |
на замовлення 6021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RFP12N10L | onsemi |
MOSFETs TO-220AB N-Ch Power |
на замовлення 4483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFP12N10L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFP12N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 60W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RFP12N10L | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 12A 100V 60W 0.20Ω RFP12N10L TRFP12N10lкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| RFP12N10L | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 12A 100V 60W 0.20Ω RFP12N10L TRFP12N10lкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| RFP12N10L |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 272+ | 52.25 грн |
| 287+ | 49.43 грн |
| 1000+ | 47.79 грн |
| RFP12N10L |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 58.62 грн |
| 100+ | 56.49 грн |
| 500+ | 53.74 грн |
| 1000+ | 41.74 грн |
| RFP12N10L |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 242+ | 58.62 грн |
| 251+ | 56.49 грн |
| 500+ | 53.74 грн |
| 1000+ | 41.74 грн |
| RFP12N10L |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 490+ | 72.33 грн |
| 545+ | 65.10 грн |
| RFP12N10L |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 490+ | 72.33 грн |
| 545+ | 65.10 грн |
| RFP12N10L |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs TO-220AB N-Ch Power
MOSFETs TO-220AB N-Ch Power
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 80.46 грн |
| 10+ | 44.62 грн |
| 100+ | 37.97 грн |
| 500+ | 37.00 грн |
| 1000+ | 32.03 грн |
| RFP12N10L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 92.17 грн |
| 10+ | 49.03 грн |
| RFP12N10L |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 6021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 118.05 грн |
| 50+ | 54.37 грн |
| 100+ | 48.57 грн |
| 500+ | 36.02 грн |
| 1000+ | 32.95 грн |
| 2000+ | 30.36 грн |
| 5000+ | 27.11 грн |
| RFP12N10L |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs TO-220AB N-Ch Power
MOSFETs TO-220AB N-Ch Power
на замовлення 4483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 124.03 грн |
| 10+ | 50.49 грн |
| 100+ | 39.56 грн |
| 500+ | 35.14 грн |
| 1000+ | 30.65 грн |
| RFP12N10L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFP12N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
Description: ONSEMI - RFP12N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 126.45 грн |
| 14+ | 58.47 грн |
| 100+ | 47.04 грн |
| 500+ | 38.81 грн |
| RFP12N10L |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 12A 100V 60W 0.20Ω RFP12N10L TRFP12N10l
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 12A 100V 60W 0.20Ω RFP12N10L TRFP12N10l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 29.98 грн |
| RFP12N10L |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 12A 100V 60W 0.20Ω RFP12N10L TRFP12N10l
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 12A 100V 60W 0.20Ω RFP12N10L TRFP12N10l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 60.48 грн |







