RFP15N12

RFP15N12 Harris Corporation


HRISD017-4-686.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 10952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
260+89.86 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFP15N12 Harris Corporation

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RFP15N12 за ціною від 96.16 грн до 106.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFP15N12 Виробник : HARRIS HRISD017-4-686.pdf?t.download=true&u=5oefqw RFP15N12
на замовлення 6744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+106.00 грн
500+101.82 грн
1000+96.16 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
RFP15N12 Виробник : HARRIS HRISD017-4-686.pdf?t.download=true&u=5oefqw RFP15N12
на замовлення 4063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+106.00 грн
500+101.82 грн
1000+96.16 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.