RFP22N10 FAIRCHILD


RFP22N10.pdf
Виробник: FAIRCHILD

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFP22N10 FAIRCHILD

Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 22A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V.

Інші пропозиції RFP22N10

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFP22N10 RFP22N10 Виробник : onsemi RFP22N10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP22N10 RFP22N10 Виробник : onsemi / Fairchild RFP22N10-1195921.pdf MOSFETs N-Ch Power MOSFET 100V/22a/0.080 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.