Продукція > HARRIS CORPORATION > RFP2N15
RFP2N15

RFP2N15 Harris Corporation

HRISD017-4-605.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 2411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
452+49.70 грн
Мінімальне замовлення: 452
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFP2N15 Harris Corporation

Description: N-CHANNEL, MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RFP2N15

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFP2N15 HRISD017-4-605.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.