Технічний опис RFP30P06 FAIRCHIL
Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції RFP30P06
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
RFP30P06 | Виробник : FSC |
![]() |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
RFP30P06 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
RFP30P06 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |