RFP50N05 Harris Corporation
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250nA
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 222+ | 91.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFP50N05 Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 20 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250nA, Power Dissipation (Max): 132W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції RFP50N05 за ціною від 105.74 грн до 127.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RFP50N05 | Виробник : HARRIS |
RFP50N05 |
на замовлення 6402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| RFP50N05 | Виробник : HARRIS |
RFP50N05 |
на замовлення 3611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| RFP50N05 | Виробник : HARRIS |
RFP50N05 |
на замовлення 1353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| RFP50N05 | Виробник : HARRIS |
RFP50N05 |
на замовлення 3398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| RFP50N05 |
|
на замовлення 33200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |