RFP50N06 ON
Код товару: 182601
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ON
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції RFP50N06 за ціною від 58.36 грн до 214.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RFP50N06 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RFP50N06 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RFP50N06 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RFP50N06 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RFP50N06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFP50N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 131W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RFP50N06 | HARRIS |
RFP50N06 |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| RFP50N06 | HARRIS |
RFP50N06 |
на замовлення 8046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| RFP50N06 | HARRIS |
RFP50N06 |
на замовлення 1179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
RFP50N06 | Harris Corporation |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RFP50N06 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 131W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 184 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RFP50N06 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V |
на замовлення 2482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RFP50N06 | onsemi |
MOSFETs TO-220AB N-CH POWER |
на замовлення 1963 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| RFP50N06 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 90.83 грн |
| RFP50N06 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 156+ | 90.83 грн |
| RFP50N06 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 237+ | 149.35 грн |
| 500+ | 134.06 грн |
| RFP50N06 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 237+ | 149.35 грн |
| RFP50N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFP50N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 131W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - RFP50N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 131W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 177.22 грн |
| 10+ | 110.76 грн |
| 100+ | 95.99 грн |
| 500+ | 87.61 грн |
| RFP50N06 |
![]() |
Виробник: HARRIS
RFP50N06
RFP50N06
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 237+ | 149.35 грн |
| 500+ | 134.06 грн |
| 1000+ | 123.48 грн |
| RFP50N06 |
![]() |
Виробник: HARRIS
RFP50N06
RFP50N06
на замовлення 8046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 237+ | 149.35 грн |
| 500+ | 134.06 грн |
| 1000+ | 123.48 грн |
| RFP50N06 |
![]() |
Виробник: HARRIS
RFP50N06
RFP50N06
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 237+ | 149.35 грн |
| 500+ | 134.06 грн |
| 1000+ | 123.48 грн |
| RFP50N06 |
![]() |
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 189+ | 107.77 грн |
| RFP50N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 118.51 грн |
| 5+ | 104.12 грн |
| 10+ | 91.42 грн |
| 50+ | 89.73 грн |
| RFP50N06 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 206.49 грн |
| 50+ | 98.95 грн |
| 100+ | 89.25 грн |
| 500+ | 67.80 грн |
| 1000+ | 62.67 грн |
| 2000+ | 58.36 грн |






