RFP50N06 ON Semiconductor
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 90.16 грн |
| 10+ | 83.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFP50N06 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - RFP50N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 131W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Можливі заміни RFP50N06 ON Semiconductor
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RFP50N06LE Код товару: 189268
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : JSMICRO |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm Монтаж: THT |
у наявності: 53 шт
33 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ 6 шт - РАДІОМАГ-Львів 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції RFP50N06 за ціною від 31.40 грн до 158.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RFP50N06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RFP50N06 Код товару: 25146
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : FS |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||
|
RFP50N06 Код товару: 182601
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ON |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
|
|
RFP50N06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RFP50N06 Код товару: 182599
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Harris |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||
|
RFP50N06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RFP50N06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RFP50N06 | Виробник : Harris Corporation |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RFP50N06 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V |
на замовлення 1017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RFP50N06 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFP50N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 131W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RFP50N06 | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 63 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| RFP50N06 | Виробник : HARRIS |
RFP50N06 |
на замовлення 8046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| RFP50N06 | Виробник : HARRIS |
RFP50N06 |
на замовлення 1179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| RFP50N06 | Виробник : HARRIS |
RFP50N06 |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
RFP50N06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
RFP50N06 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 131W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
RFP50N06 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs TO-220AB N-CH POWER |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
RFP50N06 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 131W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |






