Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > RFP50N06 FS
RFP50N06

RFP50N06 FS

RFP50N06.pdf
Код товару: 25146
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: FS
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+35.50 грн
10+31.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції RFP50N06 за ціною від 61.60 грн до 212.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFP50N06 RFP50N06 Виробник : ON Semiconductor rfp50n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
156+91.04 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 Виробник : HARRIS rfp50n06-d.pdf FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw RFP50N06
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
237+149.69 грн
500+134.36 грн
1000+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 RFP50N06 Виробник : ON Semiconductor rfp50n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+91.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 RFP50N06 Виробник : Harris Corporation FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+105.92 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 RFP50N06 Виробник : ONSEMI RFP50N06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.41 грн
5+103.15 грн
10+90.57 грн
50+88.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 RFP50N06 Виробник : ON Semiconductor rfp50n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
237+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 RFP50N06 Виробник : ON Semiconductor rfp50n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
237+149.69 грн
500+134.36 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 RFP50N06 Виробник : ONSEMI rfp50n06-d.pdf FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - RFP50N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 131W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+175.57 грн
10+109.73 грн
100+95.10 грн
500+86.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 RFP50N06 Виробник : onsemi rfp50n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.01 грн
50+97.25 грн
100+87.72 грн
500+66.64 грн
1000+61.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 RFP50N06 Виробник : onsemi rfp50n06-d.pdf FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs TO-220AB N-CH POWER
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.97 грн
10+104.96 грн
100+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 Виробник : HARRIS rfp50n06-d.pdf FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw RFP50N06
на замовлення 8046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
237+149.69 грн
500+134.36 грн
1000+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 Виробник : HARRIS rfp50n06-d.pdf FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw RFP50N06
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
237+149.69 грн
500+134.36 грн
1000+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.