RFV8BGE6STL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 62.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFV8BGE6STL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RFV8BGE6STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 2.8 V, 45 ns, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: N, Durchlassspannung, max.: 2.8V, Sperrverzögerungszeit: 45ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RFV8BGE6STL за ціною від 42.09 грн до 132.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RFV8BGE6STL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RFV8BGE6STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 2.8 V, 45 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 2.8V Sperrverzögerungszeit: 45ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RFV8BGE6STL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252GE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RFV8BGE6STL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RFV8BGE6STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 2.8 V, 45 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 2.8V Sperrverzögerungszeit: 45ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RFV8BGE6STL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Super Fast Recovery Diode |
на замовлення 2433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|