Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGA80TSX2EHRC11
RGA80TSX2EHRC11

RGA80TSX2EHRC11 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGA80TSX2EHR&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 10 SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 1200
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 372 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 94ns/344ns
Switching Energy: 3.85mJ (on), 3.31mJ (off)
Test Condition: 800V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 259 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 468 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+957.01 грн
10+637.48 грн
30+550.50 грн
120+441.53 грн
270+436.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGA80TSX2EHRC11 Rohm Semiconductor

Description: 10 SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 1200, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 372 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 94ns/344ns, Switching Energy: 3.85mJ (on), 3.31mJ (off), Test Condition: 800V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 259 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 105 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 468 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RGA80TSX2EHRC11

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGA80TSX2EHRC11 RGA80TSX2EHRC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGA80TSX2EHR&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGA80TSX2EHRC11 RGA80TSX2EHRC11 ROHM 4410272.pdf Description: ROHM - RGA80TSX2EHRC11 - IGBT, 105 A, 1.6 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 468W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 105A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGA80TSX2EHRC11 datasheet?p=RGA80TSX2EHR&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RGA80TSX2EHRC11
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGA80TSX2EHRC11 4410272.pdf
RGA80TSX2EHRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGA80TSX2EHRC11 - IGBT, 105 A, 1.6 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 468W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 105A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.