RGC80TSX8RGC11 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 584.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGC80TSX8RGC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGC80TSX8RGC11 - IGBT, 80 A, 2.2 V, 535 W, 1.8 kV, TO-247N, 3 Pin(s), tariffCode: 85423990, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 535W, Bauform - Transistor: TO-247N, Dauerkollektorstrom: 80A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RGC80TSX8RGC11 за ціною від 344.01 грн до 718.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGC80TSX8RGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRENCH FS 1800V 80A TO-247NPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 80ns/565ns Switching Energy: 1.85mJ (on), 1.6mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 468 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1800 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 535 W |
на замовлення 457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RGC80TSX8RGC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGC80TSX8RGC11 - IGBT, 80 A, 2.2 V, 535 W, 1.8 kV, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85423990 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 535W Bauform - Transistor: TO-247N Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RGC80TSX8RGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs Reverse Conducting Type, 1800V 40A, Integrated Diode, TO-247N, Field Stop Trench IGBT |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| RGC80TSX8RGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 267W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.8kV Collector current: 40A Power dissipation: 267W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 468nC Kind of package: tube Turn-on time: 0.12µs Turn-off time: 725ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |