RGC80TSX8RGC11 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 596.27 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
24 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGC80TSX8RGC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGC80TSX8RGC11 - IGBT, 80 A, 2.2 V, 535 W, 1.8 kV, TO-247N, 3 Pin(s), tariffCode: 85423990, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 535W, Bauform - Transistor: TO-247N, Dauerkollektorstrom: 80A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RGC80TSX8RGC11 за ціною від 748.95 грн до 748.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGC80TSX8RGC11 | Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRENCH FS 1800V 80A TO-247NPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 80ns/565ns Switching Energy: 1.85mJ (on), 1.6mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 468 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1800 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 535 W |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
RGC80TSX8RGC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGC80TSX8RGC11 - IGBT, 80 A, 2.2 V, 535 W, 1.8 kV, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85423990 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 535W Bauform - Transistor: TO-247N Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RGC80TSX8RGC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 1800V 80A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/565ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 468 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1800 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 535 W
Description: IGBT TRENCH FS 1800V 80A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/565ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 468 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1800 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 535 W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 748.95 грн |
| RGC80TSX8RGC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGC80TSX8RGC11 - IGBT, 80 A, 2.2 V, 535 W, 1.8 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGC80TSX8RGC11 - IGBT, 80 A, 2.2 V, 535 W, 1.8 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)