RGCL80TK60GC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 600V 35A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 53ns/227ns
Switching Energy: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 57 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 364.98 грн |
| 10+ | 295.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGCL80TK60GC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 600V 35A TO3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 53ns/227ns, Switching Energy: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 98 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 35 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 57 W.
Інші пропозиції RGCL80TK60GC11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
RGCL80TK60GC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs Low VCE(sat) Type, 600V 40A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
RGCL80TK60GC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGCL80TK60GC11 - IGBT, 35 A, 1.4 V, 57 W, 600 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Verlustleistung: 57 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35 Bauform - Transistor: TO-3PFM Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| RGCL80TK60GC11 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs Low VCE(sat) Type, 600V 40A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
IGBTs Low VCE(sat) Type, 600V 40A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RGCL80TK60GC11 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGCL80TK60GC11 - IGBT, 35 A, 1.4 V, 57 W, 600 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 57
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ROHM - RGCL80TK60GC11 - IGBT, 35 A, 1.4 V, 57 W, 600 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 57
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



