RGE00TS65DGC13 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 585.43 грн |
| 30+ | 327.80 грн |
| 120+ | 275.99 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGE00TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 74A; 230W; Eoff: 1.02mJ, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 74A, Power dissipation: 230W, Gate-emitter voltage: ±30V, Mounting: THT, Gate charge: 104nC, Turn-on time: 57ns, Turn-off time: 150ns, Turn-off switching energy: 1.02mJ, Turn-on switching energy: 1.66mJ, Technology: Field Stop; Trench.
Інші пропозиції RGE00TS65DGC13 за ціною від 253.77 грн до 598.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGE00TS65DGC13 | ROHM Semiconductor |
 IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 570 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||
| RGE00TS65DGC13 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 74A; 230W; Eoff: 1.02mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 74A Power dissipation: 230W Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 104nC Turn-on time: 57ns Turn-off time: 150ns Turn-off switching energy: 1.02mJ Turn-on switching energy: 1.66mJ Technology: Field Stop; Trench |
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| RGE00TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 570 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 598.10 грн |
| 10+ | 343.98 грн |
| 100+ | 272.78 грн |
| 1200+ | 253.77 грн |
| RGE00TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 74A; 230W; Eoff: 1.02mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 230W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 150ns
Turn-off switching energy: 1.02mJ
Turn-on switching energy: 1.66mJ
Technology: Field Stop; Trench
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 74A; 230W; Eoff: 1.02mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 230W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 150ns
Turn-off switching energy: 1.02mJ
Turn-on switching energy: 1.66mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 348.40 грн |
| 30+ | 284.72 грн |
| 50+ | 276.47 грн |
| 100+ | 270.69 грн |