RGE60TS65DGC13 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RGE60TS65DG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 5S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns
Switching Energy: 640µJ (on), 570µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+488.25 грн
30+269.40 грн
120+225.23 грн
510+180.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGE60TS65DGC13 Rohm Semiconductor

Description: 5S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 166 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247GE, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns, Switching Energy: 640µJ (on), 570µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 63 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 51 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 166 W.

Інші пропозиції RGE60TS65DGC13 за ціною від 199.65 грн до 499.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGE60TS65DGC13 RGE60TS65DGC13 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGE60TS65DG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 590 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+499.13 грн
10+281.74 грн
100+214.28 грн
1200+199.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGE60TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGE60TS65DG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: Transistors - Unclassified
Description: RGE60TS65DGC13
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+287.96 грн
30+227.78 грн
50+220.35 грн
100+213.75 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGE60TS65DGC13 datasheet?p=RGE60TS65DG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 590 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+499.13 грн
10+281.74 грн
100+214.28 грн
1200+199.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGE60TS65DGC13 datasheet?p=RGE60TS65DG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Transistors - Unclassified
Description: RGE60TS65DGC13
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+287.96 грн
30+227.78 грн
50+220.35 грн
100+213.75 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.