RGE80TS65DGC13 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 538.32 грн |
| 30+ | 299.29 грн |
| 120+ | 251.05 грн |
| 510+ | 202.43 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGE80TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 63A; 200W; Eoff: 0.78mJ, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 63A, Power dissipation: 200W, Gate-emitter voltage: ±30V, Mounting: THT, Gate charge: 85nC, Turn-on time: 49ns, Turn-off switching energy: 0.78mJ, Turn-on switching energy: 1.09mJ, Technology: Field Stop; Trench.
Інші пропозиції RGE80TS65DGC13 за ціною від 226.68 грн до 550.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGE80TS65DGC13 | ROHM Semiconductor |
 IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 600 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||
| RGE80TS65DGC13 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 63A; 200W; Eoff: 0.78mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 63A Power dissipation: 200W Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 85nC Turn-on time: 49ns Turn-off switching energy: 0.78mJ Turn-on switching energy: 1.09mJ Technology: Field Stop; Trench |
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| RGE80TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 550.54 грн |
| 10+ | 313.51 грн |
| 100+ | 243.72 грн |
| 1200+ | 226.68 грн |
| RGE80TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 63A; 200W; Eoff: 0.78mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 200W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Turn-on time: 49ns
Turn-off switching energy: 0.78mJ
Turn-on switching energy: 1.09mJ
Technology: Field Stop; Trench
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 63A; 200W; Eoff: 0.78mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 200W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Turn-on time: 49ns
Turn-off switching energy: 0.78mJ
Turn-on switching energy: 1.09mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 318.70 грн |
| 30+ | 255.81 грн |
| 50+ | 248.28 грн |
| 100+ | 242.43 грн |