RGF1B-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 12.00 грн |
| 3000+ | 11.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGF1B-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214BA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214BA (GF1), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.
Інші пропозиції RGF1B-E3/67A за ціною від 10.33 грн до 49.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGF1B-E3/67A | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Small Signal Switching Diodes 1 Amp 100 Volt 150ns 30 Amp IFSM |
на замовлення 5076 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RGF1B-E3/67A | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
на замовлення 6822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RGF1B-E3/67A | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 150ns; DO214BA; Ufmax: 1.3V; Ir: 5uA Mounting: SMD Case: DO214BA Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 150ns Leakage current: 5µA Load current: 1A Max. load current: 1A Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 100V Type of diode: rectifying |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|