RGF1J-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 16.48 грн |
| 3000+ | 13.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGF1J-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214BA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214BA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214BA (GF1), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції RGF1J-E3/67A за ціною від 12.15 грн до 36.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGF1J-E3/67A | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214BA; Ufmax: 1.3V Case: DO214BA Mounting: SMD Capacitance: 8.5pF Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.3V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 250ns Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 0.1mA Kind of package: 7 inch reel Type of diode: rectifying Quantity in set/package: 1500pcs. Features of semiconductor devices: fast switching |
на замовлення 4652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RGF1J-E3/67A | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Small Signal Switching Diodes 1 Amp 600 Volt 250ns 30 Amp IFSM |
на замовлення 9246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RGF1J-E3/67A | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RGF1J-E3/67A | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214BA; Ufmax: 1.3V Case: DO214BA Mounting: SMD Capacitance: 8.5pF Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.3V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 250ns Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 0.1mA Kind of package: 7 inch reel Type of diode: rectifying Quantity in set/package: 1500pcs. Features of semiconductor devices: fast switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4652 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|