RGF1M-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 13.27 грн |
3000+ | 11.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGF1M-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - RGF1M-E3/67A - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214BA, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.3V, Sperrverzögerungszeit: 500ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: Superectifier RGF1x Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції RGF1M-E3/67A за ціною від 11.16 грн до 42.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RGF1M-E3/67A | Виробник : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RGF1M-E3/67A | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - RGF1M-E3/67A - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214BA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Superectifier RGF1x Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 3850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RGF1M-E3/67A | Виробник : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R |
на замовлення 4986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RGF1M-E3/67A | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 5318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RGF1M-E3/67A | Виробник : Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 1000Volt 500ns 30 Amp IFSM |
на замовлення 7851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RGF1M-E3/67A | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - RGF1M-E3/67A - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214BA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Superectifier RGF1x Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 3850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RGF1M-E3/67A | Виробник : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
RGF1M-E3/67A | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns 2-Pin DO-214BA T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
RGF1M-E3/67A | Виробник : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R |
товар відсутній |