RGL34KHE3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 800V 500MA DO213AA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 36.42 грн |
| 13+ | 23.43 грн |
| 100+ | 18.24 грн |
| 500+ | 13.11 грн |
| 1000+ | 11.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGL34KHE3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 800V 500MA DO213AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AA (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Supplier Device Package: DO-213AA (GL34), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V.
Інші пропозиції RGL34KHE3/98
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RGL34KHE3/98 | Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM |
на замовлення 23075 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RGL34KHE3/98 |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
на замовлення 23075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)