RGL41B-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGL41B-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: DO-213AB, Current - Average Rectified (Io): 1A, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns.
Інші пропозиції RGL41B-E3/96 за ціною від 6.84 грн до 32.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGL41B-E3/96 | Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1 Amp 100 Volt 150ns |
на замовлення 3081 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RGL41B-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RGL41B-E3/96 |
|
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RGL41B-E3/96 |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1 Amp 100 Volt 150ns
Rectifiers 1 Amp 100 Volt 150ns
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.79 грн |
| 16+ | 20.40 грн |
| 100+ | 14.11 грн |
| 500+ | 10.68 грн |
| 1000+ | 7.68 грн |
| 1500+ | 6.84 грн |
| RGL41B-E3/96 |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.99 грн |
| 13+ | 24.66 грн |
| 100+ | 14.77 грн |
| 500+ | 12.83 грн |