RGPR30BM40HRTL

RGPR30BM40HRTL Rohm Semiconductor


rgpr30bm40-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT 430V 30A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A
Supplier Device Package: TO-252
Td (on/off) @ 25°C: 500ns/4µs
Test Condition: 300V, 8A, 100Ohm, 5V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 125 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGPR30BM40HRTL Rohm Semiconductor

Description: IGBT 430V 30A TO-252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Supplier Device Package: TO-252, Td (on/off) @ 25°C: 500ns/4µs, Test Condition: 300V, 8A, 100Ohm, 5V, Gate Charge: 22 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V, Power - Max: 125 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RGPR30BM40HRTL за ціною від 57.33 грн до 204.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGPR30BM40HRTL RGPR30BM40HRTL Виробник : Rohm Semiconductor rgpr30bm40-e.pdf Description: IGBT 430V 30A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A
Supplier Device Package: TO-252
Td (on/off) @ 25°C: 500ns/4µs
Test Condition: 300V, 8A, 100Ohm, 5V
Gate Charge: 22 nC
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.42 грн
10+111.46 грн
100+76.33 грн
500+57.54 грн
1000+57.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGPR30BM40HRTL RGPR30BM40HRTL Виробник : ROHM Semiconductor rgpr30bm40-e.pdf IGBTs 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.64 грн
10+129.98 грн
100+77.79 грн
500+62.31 грн
1000+57.76 грн
2500+57.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGPR30BM40HRTL
Код товару: 194391
Додати до обраних Обраний товар

rgpr30bm40-e.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGPR30BM40HRTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rgpr30bm40-e.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 430V; 30A; 125W; TO252; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 430V
Collector current: 30A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 1µs
Turn-off time: 9.5µs
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGPR30BM40HRTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rgpr30bm40-e.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 430V; 30A; 125W; TO252; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 430V
Collector current: 30A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 1µs
Turn-off time: 9.5µs
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.