RGPR30NS40HRTL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT 430V 30A IGNITION LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A
Supplier Device Package: LPDS
Td (on/off) @ 25°C: 500ns/4µs
Test Condition: 300V, 8A, 100Ohm, 5V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 125 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 59.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGPR30NS40HRTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGPR30NS40HRTL - IGBT, 30 A, 1.6 V, 125 W, 430 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 30A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 430V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RGPR30NS40HRTL за ціною від 49.72 грн до 189.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGPR30NS40HRTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGPR30NS40HRTL - IGBT, 30 A, 1.6 V, 125 W, 430 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 430V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RGPR30NS40HRTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 430V 30A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RGPR30NS40HRTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT 430V 30A IGNITION LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A Supplier Device Package: LPDS Td (on/off) @ 25°C: 500ns/4µs Test Condition: 300V, 8A, 100Ohm, 5V Gate Charge: 22 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Power - Max: 125 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RGPR30NS40HRTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT |
на замовлення 1305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RGPR30NS40HRTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGPR30NS40HRTL - IGBT, 30 A, 1.6 V, 125 W, 430 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 430V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|