RGS00TS65DHRC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 88A 326000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 59+ | 210.55 грн |
| 61+ | 201.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGS00TS65DHRC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 103 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/115ns, Switching Energy: 1.46mJ (on), 1.29mJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 58 nC, Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 88 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 326 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RGS00TS65DHRC11 за ціною від 201.80 грн до 497.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGS00TS65DHRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs IGBT FieldStop Trnch 50A; TO-247N; 650V |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RGS00TS65DHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 88A 326000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RGS00TS65DHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 103 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 36ns/115ns Switching Energy: 1.46mJ (on), 1.29mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 58 nC Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 88 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 326 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RGS00TS65DHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 88A 326000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RGS00TS65DHRC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 163W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 163W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Turn-on time: 70ns Turn-off time: 292ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| RGS00TS65DHRC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 163W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 163W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Turn-on time: 70ns Turn-off time: 292ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |