RGS00TS65DHRC11

RGS00TS65DHRC11 ROHM Semiconductor


datasheet?p=RGS00TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs IGBT FieldStop Trnch 50A; TO-247N; 650V
на замовлення 434 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+317.00 грн
25+216.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGS00TS65DHRC11 ROHM Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 103 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/115ns, Switching Energy: 1.46mJ (on), 1.29mJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 58 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 88 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 326 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RGS00TS65DHRC11 за ціною від 209.02 грн до 472.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGS00TS65DHRC11 RGS00TS65DHRC11 Виробник : Rohm Semiconductor rgs00ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 88A 326000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+436.93 грн
50+428.63 грн
100+408.74 грн
200+345.37 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
RGS00TS65DHRC11 RGS00TS65DHRC11 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS00TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/115ns
Switching Energy: 1.46mJ (on), 1.29mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 326 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+457.68 грн
30+250.88 грн
120+209.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS00TS65DHRC11 RGS00TS65DHRC11 Виробник : Rohm Semiconductor rgs00ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 88A 326000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+472.87 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RGS00TS65DHRC11 RGS00TS65DHRC11 Виробник : Rohm Semiconductor rgs00ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 88A 326000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+472.87 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.