RGS00TS65DHRC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/115ns
Switching Energy: 1.46mJ (on), 1.29mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 326 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 409.16 грн |
| 30+ | 224.40 грн |
| 120+ | 186.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGS00TS65DHRC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 103 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/115ns, Switching Energy: 1.46mJ (on), 1.29mJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 58 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 88 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 326 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RGS00TS65DHRC11 за ціною від 151.60 грн до 547.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGS00TS65DHRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs IGBT FieldStop Trnch 50A; TO-247N; 650V |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RGS00TS65DHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 88A 326000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RGS00TS65DHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 88A 326000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RGS00TS65DHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 88A 326000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|